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SNSS35200MR6T1G

SNSS35200MR6T1G

Solo per riferimento

Numero parte SNSS35200MR6T1G
PNEDA Part # SNSS35200MR6T1G
Descrizione TRANS PNP 35V 2A TSOP-6
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.448
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SNSS35200MR6T1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSNSS35200MR6T1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo

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SNSS35200MR6T1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorPNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)2A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)35V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic310mV @ 20mA, 2A
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 1.5A, 1.5V
Potenza - Max625mW
Frequenza - Transizione100MHz
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSOP

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 600mA, 6A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 3A, 4V

Potenza - Max

20W

Frequenza - Transizione

3MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

2SD2227STPW

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

300nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1200 @ 1mA, 5V

Potenza - Max

300mW

Frequenza - Transizione

250MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

SC-72 Formed Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

SPT

PBSS3515M,315

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

150 @ 100mA, 2V

Potenza - Max

430mW

Frequenza - Transizione

280MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-101, SOT-883

Pacchetto dispositivo fornitore

DFN1006-3

JAN2N3584

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/384

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

250V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

750mV @ 125mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 1A, 10V

Potenza - Max

2.5W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-213AA, TO-66-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-66 (TO-213AA)

PMBT5550,215

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

300mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

140V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 5V

Potenza - Max

250mW

Frequenza - Transizione

300MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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