SM6S11HE3/2D
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| Numero parte | SM6S11HE3/2D |
| PNEDA Part # | SM6S11HE3-2D |
| Descrizione | TVS DIODE 11V 20.1V DO218AB |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.016 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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SM6S11HE3/2D Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SM6S11HE3/2D |
| Categoria | Potenza › Protezione del circuito › TVS - Diodi |
| Datasheet |
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SM6S11HE3/2D Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
| Tipo | Zener |
| Canali unidirezionali | 1 |
| Canali bidirezionali | - |
| Tensione - Standoff inverso (tipico) | 11V |
| Tensione - Guasto (Min) | 12.2V |
| Tensione - Bloccaggio (Max) @ Ipp | 20.1V |
| Corrente - Picco Impulso (10 / 1000µs) | 229A |
| Potenza - Impulso di picco | 4600W (4.6kW) |
| Protezione della linea di alimentazione | No |
| Applicazioni | Automotive |
| Capacità @ Frequenza | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-218AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-218AB |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo Zener Canali unidirezionali - Canali bidirezionali 1 Tensione - Standoff inverso (tipico) 16V Tensione - Guasto (Min) 17.8V Tensione - Bloccaggio (Max) @ Ipp 27.2V Corrente - Picco Impulso (10 / 1000µs) 1101A (1.101kA) Potenza - Impulso di picco 30000W (30kW) Protezione della linea di alimentazione No Applicazioni General Purpose Capacità @ Frequenza - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia Nonstandard SMD Pacchetto dispositivo fornitore PLAD |
