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SLA5064

SLA5064

Solo per riferimento

Numero parte SLA5064
PNEDA Part # SLA5064
Descrizione MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A 12-SIP
Produttore Sanken
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 15.174
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SLA5064 Risorse

Brand Sanken
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSLA5064
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SLA5064, SLA5064 Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 396,52 KB)
PDFSLA5064 Datasheet Copertura
SLA5064 Datasheet Pagina 2 SLA5064 Datasheet Pagina 3

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SLA5064 Specifiche

ProduttoreSanken
Serie-
Tipo FET3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs140mOhm @ 5A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds460pF @ 10V
Potenza - Max5W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia12-SIP
Pacchetto dispositivo fornitore12-SIP w/fin

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Cree/Wolfspeed

Produttore

Cree/Wolfspeed

Serie

Z-FET™ Z-Rec™

Tipo FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Silicon Carbide (SiC)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

87A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 50A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2.810nF @ 800V

Potenza - Max

337W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

CCS020M12CM2

Cree/Wolfspeed

Produttore

Cree/Wolfspeed

Serie

Z-Rec®

Tipo FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Silicon Carbide (SiC)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

29.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

98mOhm @ 20A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 1mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

61.5nC @ 20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 800V

Potenza - Max

167W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

NX7002AKS,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

170mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.43nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

17pF @ 10V

Potenza - Max

220mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSSOP

FDMC6890NZ

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

68mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 10V

Potenza - Max

1.92W, 1.78W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

MicroFET 3x3mm

UT6J3TCR

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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