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SKB02N60E3266ATMA1

SKB02N60E3266ATMA1

Solo per riferimento

Numero parte SKB02N60E3266ATMA1
PNEDA Part # SKB02N60E3266ATMA1
Descrizione IGBT 600V 6A 30W TO263-3
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.136
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SKB02N60E3266ATMA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSKB02N60E3266ATMA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
SKB02N60E3266ATMA1, SKB02N60E3266ATMA1 Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 598,85 KB)
PDFSKB02N60E3266ATMA1 Datasheet Copertura
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SKB02N60E3266ATMA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBTNPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)6A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)12A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 2A
Potenza - Max30W
Switching Energy64µJ
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge14nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C20ns/259ns
Condizione di test400V, 2A, 118Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)130ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263-3

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 25A

Potenza - Max

375W

Switching Energy

850µJ (on), 1.3mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

85nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

28ns/150ns

Condizione di test

600V, 25A, 15Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

265ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

NGTD14T65F2SWK

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 35A

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

STGWA40H65DFB

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

HB

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

Potenza - Max

283W

Switching Energy

498µJ (on), 363µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

210nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

40ns/142ns

Condizione di test

400V, 40A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

62ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 Long Leads

AUIRGP4066D1-E

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

140A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Potenza - Max

454W

Switching Energy

4.24mJ (on), 2.17mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

225nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

50ns/200ns

Condizione di test

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

240ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Gate Charge

62nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

30ns/170ns

Condizione di test

180V, 25A, 10Ohm

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