SIZ900DT-T1-GE3
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Numero parte | SIZ900DT-T1-GE3 |
PNEDA Part # | SIZ900DT-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR |
Produttore | Vishay Siliconix |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 7.668 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SIZ900DT-T1-GE3 Risorse
Brand | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SIZ900DT-T1-GE3 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
Datasheet |
SIZ900DT-T1-GE3, SIZ900DT-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 14, Dimensioni: 204,19 KB)
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SIZ900DT-T1-GE3 Specifiche
Produttore | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Funzione FET | Logic Level Gate |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 24A, 28A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 19.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1830pF @ 15V |
Potenza - Max | 48W, 100W |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | 6-PowerPair™ |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-PowerPair™ |
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