SIS782DN-T1-GE3
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| Numero parte | SIS782DN-T1-GE3 |
| PNEDA Part # | SIS782DN-T1-GE3 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.730 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SIS782DN-T1-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SIS782DN-T1-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
SIS782DN-T1-GE3, SIS782DN-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 13, Dimensioni: 587,99 KB)
  
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SIS782DN-T1-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30.5nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1025pF @ 15V |
| Funzione FET | Schottky Diode (Body) |
| Dissipazione di potenza (max) | 41W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 |
| Pacchetto / Custodia | PowerPAK® 1212-8 |
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Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3650pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 330W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
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