SIRA96DP-T1-GE3
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| Numero parte | SIRA96DP-T1-GE3 |
| PNEDA Part # | SIRA96DP-T1-GE3 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAKSO-8 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 58.416 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 31 - giu 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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SIRA96DP-T1-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SIRA96DP-T1-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
SIRA96DP-T1-GE3, SIRA96DP-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 198,79 KB)
  
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SIRA96DP-T1-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® Gen IV |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | +20V, -16V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1385pF @ 15V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 34.7W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
| Pacchetto / Custodia | PowerPAK® SO-8 |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12200pF @ 20V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.65W (Ta), 90W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore SMP Pacchetto / Custodia TO-220-3, Short Tab |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 20.5mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 8V Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1750pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SC-70-6 Single Pacchetto / Custodia PowerPAK® SC-70-6 |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 170A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 390nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6790pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 580W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore SUPER-247™ (TO-274AA) Pacchetto / Custodia TO-274AA |
Produttore IXYS Integrated Circuits Division Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 350V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) -0.35V Rds On (Max) @ Id, Vgs 14Ohm @ 50mA, 350mV Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET Depletion Mode Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223 Pacchetto / Custodia TO-261-4, TO-261AA |
Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12.4A (Ta), 60A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 50V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN |
