SIJ186DP-T1-GE3
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| Numero parte | SIJ186DP-T1-GE3 |
| PNEDA Part # | SIJ186DP-T1-GE3 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8L |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 27.006 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 22 - lug 27 (Scegli Spedizione rapida) |
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SIJ186DP-T1-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SIJ186DP-T1-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
SIJ186DP-T1-GE3, SIJ186DP-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 234,77 KB)
  
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SIJ186DP-T1-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® Gen IV |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 23A (Ta), 79.4A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1710pF @ 30V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 5W (Ta), 57W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
| Pacchetto / Custodia | PowerPAK® SO-8 |
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Produttore Vishay Siliconix Serie * Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto dispositivo fornitore - Pacchetto / Custodia - |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 455pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.3W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223 (TO-261) Pacchetto / Custodia TO-261-4, TO-261AA |
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9.9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 5.9A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66nC @ 10V Vgs (massimo) ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-3 Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 155mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.8nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 182pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 900mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Produttore IXYS Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3400pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 180W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 (IXTH) Pacchetto / Custodia TO-247-3 |
