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SIGC158T120R3LEX1SA2

SIGC158T120R3LEX1SA2

Solo per riferimento

Numero parte SIGC158T120R3LEX1SA2
PNEDA Part # SIGC158T120R3LEX1SA2
Descrizione IGBT 1200V 150A DIE
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.420
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 4 - giu 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SIGC158T120R3LEX1SA2 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSIGC158T120R3LEX1SA2
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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SIGC158T120R3LEX1SA2 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)450A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 150A
Potenza - Max-
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge-
Td (acceso / spento) @ 25 ° C-
Condizione di test-
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDie
Pacchetto dispositivo fornitoreDie

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Produttore

IXYS

Serie

HiPerFAST™, Lightspeed™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

850µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

116nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

25ns/100ns

Condizione di test

480V, 40A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXGH)

STGP10NB60SFP

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

23A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 10A

Potenza - Max

25W

Switching Energy

600µJ (on), 5mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

33nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

700ns/1.2µs

Condizione di test

480V, 10A, 1kOhm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220FP

IRG4IBC30FD

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20.3A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 17A

Potenza - Max

45W

Switching Energy

630µJ (on), 1.39mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

51nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

42ns/230ns

Condizione di test

480V, 17A, 23Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

42ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB Full-Pak

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

Potenza - Max

105W

Switching Energy

400µJ (on), 80µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

38nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

16ns/145ns

Condizione di test

400V, 15A, 39Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

70ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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35A

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72W

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-

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Standard

Gate Charge

94nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

39ns/143ns

Condizione di test

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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