SIDC23D60E6YX1SA1
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| Numero parte | SIDC23D60E6YX1SA1 |
| PNEDA Part # | SIDC23D60E6YX1SA1 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.394 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida) |
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SIDC23D60E6YX1SA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SIDC23D60E6YX1SA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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SIDC23D60E6YX1SA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 50A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 50A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 27µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | Die |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Sawn on foil |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Powerex Inc. Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 3200V Corrente - Media Rettificata (Io) 5200A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 25µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 150mA @ 3200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia DO-200AE Pacchetto dispositivo fornitore Hockey Puck Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 175°C |
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Produttore Powerex Inc. Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 2600V Corrente - Media Rettificata (Io) 3935A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1500A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 25µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 75mA @ 2600V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia TO-200 Variation Pacchetto dispositivo fornitore Hockey Puck Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 175°C |
Produttore Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 650V Corrente - Media Rettificata (Io) 10A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 10A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 180µA @ 650V Capacità @ Vr, F 300pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 4-PowerTSFN Pacchetto dispositivo fornitore PG-VSON-4 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
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