SIA950DJ-T1-GE3
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| Numero parte | SIA950DJ-T1-GE3 |
| PNEDA Part # | SIA950DJ-T1-GE3 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.400 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 1 - giu 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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SIA950DJ-T1-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SIA950DJ-T1-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
SIA950DJ-T1-GE3, SIA950DJ-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 98,79 KB)
  
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SIA950DJ-T1-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | LITTLE FOOT® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 190V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 950mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8Ohm @ 360mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 90pF @ 100V |
| Potenza - Max | 7W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.6A, 2.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.4nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1063pF @ 30V Potenza - Max 1.25W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Source Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 400mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 100mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 39pF @ 3V Potenza - Max 280mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-353 |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen IV Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1290pF @ 30V Potenza - Max 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® 1212-8SCD Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® 1212-8SCD |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V, 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A, 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 1.2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Advanced Linear Devices Inc. Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Matched Pair Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 10.6V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs 270Ohm @ 5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10pF @ 5V Potenza - Max 500mW Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
