SI8415DB-T1-E1
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Numero parte | SI8415DB-T1-E1 |
PNEDA Part # | SI8415DB-T1-E1 |
Descrizione | MOSFET P-CH 12V 5.3A 2X2 4-MFP |
Produttore | Vishay Siliconix |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 4.266 |
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SI8415DB-T1-E1 Risorse
Brand | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SI8415DB-T1-E1 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
SI8415DB-T1-E1, SI8415DB-T1-E1 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 131,93 KB)
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SI8415DB-T1-E1 Specifiche
Produttore | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.3A (Ta) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.47W (Ta) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-Microfoot |
Pacchetto / Custodia | 4-XFBGA, CSPBGA |
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