SI7994DP-T1-GE3
Solo per riferimento
| Numero parte | SI7994DP-T1-GE3 |
| PNEDA Part # | SI7994DP-T1-GE3 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO-8 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.604 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 9 - mag 14 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
SI7994DP-T1-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | SI7994DP-T1-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
SI7994DP-T1-GE3, SI7994DP-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 13, Dimensioni: 343,49 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- SI7994DP-T1-GE3 Datasheet
- where to find SI7994DP-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- Vishay Siliconix SI7994DP-T1-GE3
- SI7994DP-T1-GE3 PDF Datasheet
- SI7994DP-T1-GE3 Stock
- SI7994DP-T1-GE3 Pinout
- Datasheet SI7994DP-T1-GE3
- SI7994DP-T1-GE3 Supplier
- Vishay Siliconix Distributor
- SI7994DP-T1-GE3 Price
- SI7994DP-T1-GE3 Distributor
SI7994DP-T1-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3500pF @ 15V |
| Potenza - Max | 46W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 25V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET N and P-Channel Complementary Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 4.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23.1nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1003pF @ 6V Potenza - Max 1.36W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore U-DFN2020-6 (Type B) |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 2 N Channel (Phase Leg) Funzione FET Silicon Carbide (SiC) Tensione Drain to Source (Vdss) 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 143A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 100A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 2mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 360nC @ 20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5960pF @ 1000V Potenza - Max 600W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP1 Pacchetto dispositivo fornitore SP1 |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 19.5mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 15V Potenza - Max 3.1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 305mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 25V Potenza - Max 250mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore SC-89-6 |
