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SI7904BDN-T1-GE3

SI7904BDN-T1-GE3

Solo per riferimento

Numero parte SI7904BDN-T1-GE3
PNEDA Part # SI7904BDN-T1-GE3
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.608
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 5 - mag 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI7904BDN-T1-GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI7904BDN-T1-GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI7904BDN-T1-GE3, SI7904BDN-T1-GE3 Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 551,33 KB)
PDFSI7904BDN-T1-E3 Datasheet Copertura
SI7904BDN-T1-E3 Datasheet Pagina 2 SI7904BDN-T1-E3 Datasheet Pagina 3 SI7904BDN-T1-E3 Datasheet Pagina 4 SI7904BDN-T1-E3 Datasheet Pagina 5 SI7904BDN-T1-E3 Datasheet Pagina 6 SI7904BDN-T1-E3 Datasheet Pagina 7 SI7904BDN-T1-E3 Datasheet Pagina 8 SI7904BDN-T1-E3 Datasheet Pagina 9 SI7904BDN-T1-E3 Datasheet Pagina 10 SI7904BDN-T1-E3 Datasheet Pagina 11

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SI7904BDN-T1-GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds860pF @ 10V
Potenza - Max17.8W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaPowerPAK® 1212-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK® 1212-8 Dual

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

330mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V

Potenza - Max

3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-223-8

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

SI7220DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® 1212-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® 1212-8 Dual

DMN601DMK-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

510mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

304nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Potenza - Max

700mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-26

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

680mA (Ta), 460mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.64nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V, 63pF @ 10V

Potenza - Max

700mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

10mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

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