SI7901EDN-T1-GE3
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| Numero parte | SI7901EDN-T1-GE3 |
| PNEDA Part # | SI7901EDN-T1-GE3 |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.932 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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SI7901EDN-T1-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SI7901EDN-T1-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
SI7901EDN-T1-GE3, SI7901EDN-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 112,62 KB)
  
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SI7901EDN-T1-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 6.3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 800µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 1.3W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 Dual |
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Produttore Diodes Incorporated Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
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Produttore Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 722pF @ 25V Potenza - Max 2.5W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.1A, 4.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.6nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 455pF @ 10V Potenza - Max 4.5W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore 1206-8 ChipFET™ |
