Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

SI6975DQ-T1-GE3

SI6975DQ-T1-GE3

Solo per riferimento

Numero parte SI6975DQ-T1-GE3
PNEDA Part # SI6975DQ-T1-GE3
Descrizione MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.742
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI6975DQ-T1-GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI6975DQ-T1-GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI6975DQ-T1-GE3, SI6975DQ-T1-GE3 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 102,31 KB)
PDFSI6975DQ-T1-E3 Datasheet Copertura
SI6975DQ-T1-E3 Datasheet Pagina 2 SI6975DQ-T1-E3 Datasheet Pagina 3 SI6975DQ-T1-E3 Datasheet Pagina 4 SI6975DQ-T1-E3 Datasheet Pagina 5

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • SI6975DQ-T1-GE3 Datasheet
  • where to find SI6975DQ-T1-GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SI6975DQ-T1-GE3
  • SI6975DQ-T1-GE3 PDF Datasheet
  • SI6975DQ-T1-GE3 Stock

  • SI6975DQ-T1-GE3 Pinout
  • Datasheet SI6975DQ-T1-GE3
  • SI6975DQ-T1-GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SI6975DQ-T1-GE3 Price
  • SI6975DQ-T1-GE3 Distributor

SI6975DQ-T1-GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs27mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id450mV @ 5mA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max830mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP

I prodotti a cui potresti essere interessato

NX7002AKS/ZLX

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

170mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.43nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

17pF @ 10V

Potenza - Max

1.06W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-363

UPA2350T1P-E4-A

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.6nC @ 4V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

542pF @ 10V

Potenza - Max

1.3W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-XFLGA

Pacchetto dispositivo fornitore

4-EFLIP-LGA (1.62x1.62)

VEC2616-TL-H-Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate, 4V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A, 2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

505pF @ 20V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-28FL/VEC8

IRF7905PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.8A, 8.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21.8mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.25V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.9nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

AON6812

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

27A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1720pF @ 15V

Potenza - Max

4.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN-EP (5.2x5.55)

Venduto di recente

EVM-3VSX50B14

EVM-3VSX50B14

Panasonic Electronic Components

TRIMMER 10K OHM 0.15W J LEAD TOP

3314G-1-103E

3314G-1-103E

Bourns

TRIMMER 10K OHM 0.25W GW TOP ADJ

LBM2016T330J

LBM2016T330J

Taiyo Yuden

FIXED IND 33UH 125MA 3.6 OHM SMD

SRN6045TA-470M

SRN6045TA-470M

Bourns

FIXED IND 47UH 1.6A 200 MOHM SMD

VLCF4020T-2R2N1R7

VLCF4020T-2R2N1R7

TDK

FIXED IND 2.2UH 1.72A 59 MOHM

7440430022

7440430022

Wurth Electronics

FIXED IND 2.2UH 2.5A 28 MOHM SMD

BNX025H01L

BNX025H01L

Murata

FILTER LC 10UF SMD

BNX022-01L

BNX022-01L

Murata

FILTER LC 1UF SMD

CS325S25000000ABJT

CS325S25000000ABJT

Citizen Finedevice

CRYSTAL 25.0000MHZ 18PF SMD

T491X476K035AT

T491X476K035AT

KEMET

CAP TANT 47UF 10% 35V 2917

F951E106MAAAQ2

F951E106MAAAQ2

CAP TANT 10UF 20% 25V 1206

B3F-1000

B3F-1000

Omron Electronics Inc-EMC Div

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V