SI6925ADQ-T1-GE3
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| Numero parte | SI6925ADQ-T1-GE3 |
| PNEDA Part # | SI6925ADQ-T1-GE3 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8-TSSOP |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.006 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI6925ADQ-T1-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SI6925ADQ-T1-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
SI6925ADQ-T1-GE3, SI6925ADQ-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 106,92 KB)
  
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SI6925ADQ-T1-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 3.9A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 800mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
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Produttore Diodes Incorporated Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 570pF @ 15V Potenza - Max 17.8W, 23W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® 1212-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® 1212-8 Dual |
Produttore EPC Serie eGaN® Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 23A Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 5.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 50V Potenza - Max - Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia Die Pacchetto dispositivo fornitore Die |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 1.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 800mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP |
Produttore Vishay Siliconix Serie PowerPAIR®, TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A, 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 15.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 15V Potenza - Max 16.7W, 31W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore 8-Power33 (3x3) |
