SI6913DQ-T1-GE3
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| Numero parte | SI6913DQ-T1-GE3 |
| PNEDA Part # | SI6913DQ-T1-GE3 |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 297.108 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI6913DQ-T1-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SI6913DQ-T1-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
SI6913DQ-T1-GE3, SI6913DQ-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 11, Dimensioni: 221,11 KB)
  
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SI6913DQ-T1-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 12V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 5.8A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 400µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 830mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 14.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41.9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2026pF @ 30V Potenza - Max 2.6W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI5060-8 |
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