SI5997DU-T1-GE3
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Numero parte | SI5997DU-T1-GE3 |
PNEDA Part # | SI5997DU-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK CHIPFET |
Produttore | Vishay Siliconix |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 2.556 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI5997DU-T1-GE3 Risorse
Brand | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SI5997DU-T1-GE3 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
Datasheet |
SI5997DU-T1-GE3, SI5997DU-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 160,08 KB)
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SI5997DU-T1-GE3 Specifiche
Produttore | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Funzione FET | Logic Level Gate |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 54mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 430pF @ 15V |
Potenza - Max | 10.4W |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® ChipFet Dual |
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