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SI5947DU-T1-E3

SI5947DU-T1-E3

Solo per riferimento

Numero parte SI5947DU-T1-E3
PNEDA Part # SI5947DU-T1-E3
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 6A 8PWRPAK
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.110
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 25 - mag 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI5947DU-T1-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI5947DU-T1-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI5947DU-T1-E3, SI5947DU-T1-E3 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 90,66 KB)
PDFSI5947DU-T1-GE3 Datasheet Copertura
SI5947DU-T1-GE3 Datasheet Pagina 2 SI5947DU-T1-GE3 Datasheet Pagina 3 SI5947DU-T1-GE3 Datasheet Pagina 4 SI5947DU-T1-GE3 Datasheet Pagina 5 SI5947DU-T1-GE3 Datasheet Pagina 6 SI5947DU-T1-GE3 Datasheet Pagina 7

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SI5947DU-T1-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs58mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds480pF @ 10V
Potenza - Max10.4W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaPowerPAK® ChipFET™ Dual
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK® ChipFet Dual

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MCH6660-TL-W

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A, 1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

136mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

128pF @ 10V

Potenza - Max

800mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

6-MCPH

DMN61D8LVTQ-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

630mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 150mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.74nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

12.9pF @ 12V

Potenza - Max

820mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

TSOT-26

AONY36352

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

18.5A (Ta), 49A (Tc), 30A (Ta), 85A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.3mOhm @ 20A, 10V, 2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V, 52nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

820pF @ 15V, 2555pF @ 15V

Potenza - Max

3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 45W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerSMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x6)

SI4230DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20.5mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Potenza - Max

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