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SI5938DU-T1-E3

SI5938DU-T1-E3

Solo per riferimento

Numero parte SI5938DU-T1-E3
PNEDA Part # SI5938DU-T1-E3
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 6A 8PWRPAK
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.598
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI5938DU-T1-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI5938DU-T1-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI5938DU-T1-E3, SI5938DU-T1-E3 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 116,45 KB)
PDFSI5938DU-T1-E3 Datasheet Copertura
SI5938DU-T1-E3 Datasheet Pagina 2 SI5938DU-T1-E3 Datasheet Pagina 3 SI5938DU-T1-E3 Datasheet Pagina 4 SI5938DU-T1-E3 Datasheet Pagina 5 SI5938DU-T1-E3 Datasheet Pagina 6 SI5938DU-T1-E3 Datasheet Pagina 7

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SI5938DU-T1-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs39mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds520pF @ 10V
Potenza - Max8.3W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaPowerPAK® ChipFET™ Dual
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK® ChipFet Dual

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PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

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Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1840pF @ 15V

Potenza - Max

1.6W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

SI4966DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1390pF @ 10V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.5nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

230pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

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