SI5435BDC-T1-GE3
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Numero parte | SI5435BDC-T1-GE3 |
PNEDA Part # | SI5435BDC-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8 |
Produttore | Vishay Siliconix |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 3.780 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI5435BDC-T1-GE3 Risorse
Brand | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SI5435BDC-T1-GE3 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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SI5435BDC-T1-GE3 Specifiche
Produttore | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.3A (Ta) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 4.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.3W (Ta) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1206-8 ChipFET™ |
Pacchetto / Custodia | 8-SMD, Flat Lead |
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