SI4866BDY-T1-GE3
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| Numero parte | SI4866BDY-T1-GE3 |
| PNEDA Part # | SI4866BDY-T1-GE3 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.894 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI4866BDY-T1-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SI4866BDY-T1-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
SI4866BDY-T1-GE3, SI4866BDY-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 168,11 KB)
  
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SI4866BDY-T1-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 12V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21.5A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3mOhm @ 12A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5020pF @ 6V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 4.45W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore I2PAK Pacchetto / Custodia TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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