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SI4818DY-T1-GE3

SI4818DY-T1-GE3

Solo per riferimento

Numero parte SI4818DY-T1-GE3
PNEDA Part # SI4818DY-T1-GE3
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.142
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 15 - mag 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI4818DY-T1-GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI4818DY-T1-GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI4818DY-T1-GE3, SI4818DY-T1-GE3 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 133,68 KB)
PDFSI4818DY-T1-GE3 Datasheet Copertura
SI4818DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 2 SI4818DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 3 SI4818DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 4 SI4818DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 5 SI4818DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 6 SI4818DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 7 SI4818DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 8 SI4818DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 9

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SI4818DY-T1-GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieLITTLE FOOT®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.3A, 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id800mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1W, 1.25W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V, 12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.4A, 2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.5nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 15V

Potenza - Max

700mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

SuperSOT™-6

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.2mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 30µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3980pF @ 25V

Potenza - Max

65W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount, Wettable Flank

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TDSON-8-10

VEC2315-TL-W

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 4V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

137mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 20V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-28FL/VEC8

SI4834CDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

950pF @ 15V

Potenza - Max

2.9W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

NTHC5513T1

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A, 2.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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