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SI4650DY-T1-E3

SI4650DY-T1-E3

Solo per riferimento

Numero parte SI4650DY-T1-E3
PNEDA Part # SI4650DY-T1-E3
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.482
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI4650DY-T1-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI4650DY-T1-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI4650DY-T1-E3, SI4650DY-T1-E3 Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 150,63 KB)
PDFSI4650DY-T1-E3 Datasheet Copertura
SI4650DY-T1-E3 Datasheet Pagina 2 SI4650DY-T1-E3 Datasheet Pagina 3 SI4650DY-T1-E3 Datasheet Pagina 4 SI4650DY-T1-E3 Datasheet Pagina 5 SI4650DY-T1-E3 Datasheet Pagina 6 SI4650DY-T1-E3 Datasheet Pagina 7 SI4650DY-T1-E3 Datasheet Pagina 8 SI4650DY-T1-E3 Datasheet Pagina 9 SI4650DY-T1-E3 Datasheet Pagina 10 SI4650DY-T1-E3 Datasheet Pagina 11

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SI4650DY-T1-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FET2 N-Channel (Half Bridge)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1550pF @ 15V
Potenza - Max3.1W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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60A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 25V

Potenza - Max

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