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SI4636DY-T1-E3

SI4636DY-T1-E3

Solo per riferimento

Numero parte SI4636DY-T1-E3
PNEDA Part # SI4636DY-T1-E3
Descrizione MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.446
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI4636DY-T1-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI4636DY-T1-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
SI4636DY-T1-E3, SI4636DY-T1-E3 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 89,6 KB)
PDFSI4636DY-T1-E3 Datasheet Copertura
SI4636DY-T1-E3 Datasheet Pagina 2 SI4636DY-T1-E3 Datasheet Pagina 3 SI4636DY-T1-E3 Datasheet Pagina 4 SI4636DY-T1-E3 Datasheet Pagina 5 SI4636DY-T1-E3 Datasheet Pagina 6 SI4636DY-T1-E3 Datasheet Pagina 7

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SI4636DY-T1-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C17A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60nC @ 10V
Vgs (massimo)±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2635pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta), 4.4W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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SI3447BDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

IXTQ22N50P

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

PolarHV™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

22A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2630pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

350W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

IPS05N03LB G

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

90A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 40µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3200pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

94W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO251-3

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Stub Leads, IPak

FDS4780

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10.8A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 10.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1686pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IPU80R1K0CEBKMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.7A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

950mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

785pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

83W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO251-3

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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