SI4448DY-T1-E3
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Numero parte | SI4448DY-T1-E3 |
PNEDA Part # | SI4448DY-T1-E3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC |
Produttore | Vishay Siliconix |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 2.646 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI4448DY-T1-E3 Risorse
Brand | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SI4448DY-T1-E3 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
SI4448DY-T1-E3, SI4448DY-T1-E3 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 168,77 KB)
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SI4448DY-T1-E3 Specifiche
Produttore | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 20A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 12350pF @ 6V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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