SI4174DY-T1-GE3
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Numero parte | SI4174DY-T1-GE3 |
PNEDA Part # | SI4174DY-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC |
Produttore | Vishay Siliconix |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 4.680 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI4174DY-T1-GE3 Risorse
Brand | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SI4174DY-T1-GE3 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
SI4174DY-T1-GE3, SI4174DY-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 185,51 KB)
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SI4174DY-T1-GE3 Specifiche
Produttore | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 985pF @ 15V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 5W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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