SI3473DV-T1-E3
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Numero parte | SI3473DV-T1-E3 |
PNEDA Part # | SI3473DV-T1-E3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP |
Produttore | Vishay Siliconix |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 2.394 |
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SI3473DV-T1-E3 Risorse
Brand | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SI3473DV-T1-E3 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
SI3473DV-T1-E3, SI3473DV-T1-E3 Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 203,27 KB)
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SI3473DV-T1-E3 Specifiche
Produttore | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.9A (Ta) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 7.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.1W (Ta) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
Pacchetto / Custodia | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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