SI1025X-T1-E3
Solo per riferimento
| Numero parte | SI1025X-T1-E3 |
| PNEDA Part # | SI1025X-T1-E3 |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.814 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
SI1025X-T1-E3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | SI1025X-T1-E3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- SI1025X-T1-E3 Datasheet
- where to find SI1025X-T1-E3
- Vishay Siliconix
- Vishay Siliconix SI1025X-T1-E3
- SI1025X-T1-E3 PDF Datasheet
- SI1025X-T1-E3 Stock
- SI1025X-T1-E3 Pinout
- Datasheet SI1025X-T1-E3
- SI1025X-T1-E3 Supplier
- Vishay Siliconix Distributor
- SI1025X-T1-E3 Price
- SI1025X-T1-E3 Distributor
SI1025X-T1-E3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 190mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 15V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 23pF @ 25V |
| Potenza - Max | 250mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-563, SOT-666 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-89-6 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Panasonic Electronic Components Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12pF @ 3V Potenza - Max 125mW Temperatura di esercizio 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-665 Pacchetto dispositivo fornitore SSMini5-F2 |
Produttore Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11.1A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.6nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 805pF @ 20V Potenza - Max 2.6W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI5060-8 |
Produttore Advanced Linear Devices Inc. Serie EPAD® Tipo FET 4 N-Channel, Matched Pair Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 10V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs 500Ohm @ 5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.01V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 5V Potenza - Max 600mW Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 16-SOIC |
Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 282pF @ 15V Potenza - Max 500mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore PG-TSOP-6-6 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 155mOhm @ 2.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 10V Potenza - Max 1.1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore ChipFET™ |
