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SH8M4TB1

SH8M4TB1

Solo per riferimento

Numero parte SH8M4TB1
PNEDA Part # SH8M4TB1
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.100
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SH8M4TB1 Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSH8M4TB1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SH8M4TB1, SH8M4TB1 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 181,7 KB)
PDFSH8M4TB1 Datasheet Copertura
SH8M4TB1 Datasheet Pagina 2 SH8M4TB1 Datasheet Pagina 3 SH8M4TB1 Datasheet Pagina 4 SH8M4TB1 Datasheet Pagina 5 SH8M4TB1 Datasheet Pagina 6

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SH8M4TB1 Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9A, 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1190pF @ 10V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP

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Produttore

Serie

NexFET™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.9mOhm @ 20A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.9nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1770pF @ 15V

Potenza - Max

12W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerLDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-LSON (5x6)

EFC6602R-TR

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-XFBGA, FCBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

EFCP2718-6CE-020

SH8K4TB1

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1190pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

180mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.75nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-89-6

SI3909DV-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 1.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

500mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.15W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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