SH8M13GZETB
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| Numero parte | SH8M13GZETB |
| PNEDA Part # | SH8M13GZETB |
| Descrizione | MIDDLE POWER MOSFET SERIES (DUAL |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.452 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 18 - lug 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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SH8M13GZETB Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SH8M13GZETB |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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SH8M13GZETB Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | - |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A, 7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 10V |
| Potenza - Max | 2W |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
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