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SFH9240

SFH9240

Solo per riferimento

Numero parte SFH9240
PNEDA Part # SFH9240
Descrizione MOSFET P-CH 200V 11A TO-3P
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.464
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SFH9240 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSFH9240
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
SFH9240, SFH9240 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 207,5 KB)
PDFSFH9240 Datasheet Copertura
SFH9240 Datasheet Pagina 2 SFH9240 Datasheet Pagina 3 SFH9240 Datasheet Pagina 4 SFH9240 Datasheet Pagina 5 SFH9240 Datasheet Pagina 6 SFH9240 Datasheet Pagina 7

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SFH9240 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs500mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs59nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1585pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)126W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3P
Pacchetto / CustodiaTO-3P-3, SC-65-3

I prodotti a cui potresti essere interessato

IPD65R1K4CFDBTMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

262pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

28.4W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO252-3

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NTD3055-094-1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

94mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.5W (Ta), 48W (Tj)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I-PAK

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

FQPF630

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.3A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 3.15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

38W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

IXTH86N20T

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

86A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 (IXTH)

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

NTA4151PT1H

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

760mA (Tj)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

360mOhm @ 350mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.1nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±6V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

156pF @ 5V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

301mW (Tj)

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-75, SOT-416

Pacchetto / Custodia

SC-75, SOT-416

Venduto di recente

WSL25122L000FEA

WSL25122L000FEA

Vishay Dale

RES 0.002 OHM 1% 1W 2512

3314G-1-103E

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Bourns

TRIMMER 10K OHM 0.25W GW TOP ADJ

NLV32T-068J-EF

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TDK

FIXED IND 68NH 450MA 360 MOHM

74438356150

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Wurth Electronics

FIXED IND 15UH 1.9A 230MOHM SMD

NL453232T-102J-PF

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FIXED IND 1MH 30MA 40 OHM SMD

IHLP2525CZERR10M01

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FIXED IND 100NH 32.5A 1.7 MOHM

2773021447

2773021447

Fair-Rite Products

FERRITE BEAD 2SMD 1LN

BLM18PG471SN1D

BLM18PG471SN1D

Murata

FERRITE BEAD 470 OHM 0603 1LN

BNX026H01L

BNX026H01L

Murata

FILTER LC 10UF SMD

7A-8.000MAAE-T

7A-8.000MAAE-T

TXC

CRYSTAL 8.0000MHZ 12PF SMD

6TPE330MIL

6TPE330MIL

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CAP TANT POLY 330UF 6.3V 2917

16SVPF180M

16SVPF180M

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CAP ALUM POLY 180UF 20% 16V SMD