Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

SE80PWB-M3/I

SE80PWB-M3/I

Solo per riferimento

Numero parte SE80PWB-M3/I
PNEDA Part # SE80PWB-M3-I
Descrizione DIODE GEN PURP 100V 8A SLIMDPAK
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.592
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SE80PWB-M3/I Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSE80PWB-M3/I
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
SE80PWB-M3/I, SE80PWB-M3/I Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 124,72 KB)
PDFSE80PWJHM3/I Datasheet Copertura
SE80PWJHM3/I Datasheet Pagina 2 SE80PWJHM3/I Datasheet Pagina 3 SE80PWJHM3/I Datasheet Pagina 4 SE80PWJHM3/I Datasheet Pagina 5

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • SE80PWB-M3/I Datasheet
  • where to find SE80PWB-M3/I
  • Vishay Semiconductor Diodes Division

  • Vishay Semiconductor Diodes Division SE80PWB-M3/I
  • SE80PWB-M3/I PDF Datasheet
  • SE80PWB-M3/I Stock

  • SE80PWB-M3/I Pinout
  • Datasheet SE80PWB-M3/I
  • SE80PWB-M3/I Supplier

  • Vishay Semiconductor Diodes Division Distributor
  • SE80PWB-M3/I Price
  • SE80PWB-M3/I Distributor

SE80PWB-M3/I Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
SerieeSMP®
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)100V
Corrente - Media Rettificata (Io)8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.12V @ 8A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)2.4µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr15µA @ 100V
Capacità @ Vr, F58pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitoreSlimDPAK
Temperatura di esercizio - Giunzione-40°C ~ 175°C

I prodotti a cui potresti essere interessato

GB05SLT12-252

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 2A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 1200V

Capacità @ Vr, F

260pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

BYG10Y-M3/TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Avalanche

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 1.5A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

4µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 1600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AC (SMA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

20ETF06

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

160ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

ACDSV21H-G

Comchip Technology

Produttore

Comchip Technology

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

250V

Corrente - Media Rettificata (Io)

200mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 200mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100nA @ 200V

Capacità @ Vr, F

5pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-76, SOD-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-323

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

S306100

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Venduto di recente

MT28FW02GBBA1HPC-0AAT

MT28FW02GBBA1HPC-0AAT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 2G PARALLEL 64LBGA

LTC4303IMS8#TRPBF

LTC4303IMS8#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC ACCELERATOR I2C HOTSWAP 8MSOP

1N4007-TP

1N4007-TP

Micro Commercial Co

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

FXLP34P5X

FXLP34P5X

ON Semiconductor

IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL SC70-5

MMSZ7V5T1G

MMSZ7V5T1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 7.5V 500MW SOD123

DAN217UMTL

DAN217UMTL

Rohm Semiconductor

DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD3F

IXFK90N20

IXFK90N20

IXYS

MOSFET N-CH 200V 90A TO-264AA

PME271Y447MR30

PME271Y447MR30

KEMET

CAP FILM 4700PF 20% 1KVDC RADIAL

CDRH127/LDNP-220MC

CDRH127/LDNP-220MC

Sumida

FIXED IND 22UH 4.7A 36.4 MOHM

AD694ARZ-REEL

AD694ARZ-REEL

Analog Devices

IC TRANSMITTER 4-20MA 16-SOIC

BLM18AG601SN1D

BLM18AG601SN1D

Murata

FERRITE BEAD 600 OHM 0603 1LN

NC7WZ241K8X

NC7WZ241K8X

ON Semiconductor

IC BUFFER NON-INVERT 5.5V US8