SE70PDHM3/86A
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| Numero parte | SE70PDHM3/86A |
| PNEDA Part # | SE70PDHM3-86A |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 200V 2.9A TO277A |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.228 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 7 - giu 12 (Scegli Spedizione rapida) |
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SE70PDHM3/86A Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SE70PDHM3/86A |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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SE70PDHM3/86A Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 2.9A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 7A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 2.6µs |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20µA @ 200V |
| Capacità @ Vr, F | 76pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-277, 3-PowerDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-213AB, MELF Pacchetto dispositivo fornitore MELF Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 800V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 300ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 800V Capacità @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AL, DO-41, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-204AL (DO-41) Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 10A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 0.58V @ 10A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1mA @ 60V Capacità @ Vr, F 345pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia L-FLAT™ Pacchetto dispositivo fornitore L-FLAT™ (4x5.5) Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 125°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 45V Corrente - Media Rettificata (Io) 6A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 600mV @ 6A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 800µA @ 45V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 620mV @ 8A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 250µA @ 30V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-215AB, SMC Gull Wing Pacchetto dispositivo fornitore DO-215AB Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
