SE30AFJ-M3/6A
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| Numero parte | SE30AFJ-M3/6A |
| PNEDA Part # | SE30AFJ-M3-6A |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 3A DO221AC |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 85.092 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida) |
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SE30AFJ-M3/6A Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SE30AFJ-M3/6A |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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SE30AFJ-M3/6A Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 3A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 3A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 1.5µs |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | 19pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-221AC, SMA Flat Leads |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-221AC (SlimSMA) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 3600V Corrente - Media Rettificata (Io) 1800A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.32V @ 1500A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 100mA @ 3600V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia DO-200AC, K-PUK Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 160°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 40V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 550mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 40V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-201AD, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-201AD Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 125°C |
Produttore IXYS Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media Rettificata (Io) 45A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.28V @ 45A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 20µA @ 1200V Capacità @ Vr, F 18pF @ 400V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AD Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 175°C |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 70V Corrente - Media Rettificata (Io) 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 100mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 25nA @ 60V Capacità @ Vr, F 8pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione 175°C (Max) |
