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SE30AFGHM3/6B

SE30AFGHM3/6B

Solo per riferimento

Numero parte SE30AFGHM3/6B
PNEDA Part # SE30AFGHM3-6B
Descrizione DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.552
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 20 - giu 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SE30AFGHM3/6B Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSE30AFGHM3/6B
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
SE30AFGHM3/6B, SE30AFGHM3/6B Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 113,35 KB)
PDFSE30AFJHM3J/6A Datasheet Copertura
SE30AFJHM3J/6A Datasheet Pagina 2 SE30AFJHM3J/6A Datasheet Pagina 3 SE30AFJHM3J/6A Datasheet Pagina 4 SE30AFJHM3J/6A Datasheet Pagina 5

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SE30AFGHM3/6B Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)400V
Corrente - Media Rettificata (Io)1.4A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.1V @ 3A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)1.5µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 400V
Capacità @ Vr, F19pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-221AC, SMA Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-221AC
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 175°C

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

85A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 85A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AB, DO-5, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-5

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 180°C

MSS1P5HM3/89A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, eSMP®

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

680mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

150µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

40pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AD

Pacchetto dispositivo fornitore

MicroSMP (DO-219AD)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

F1827D600

Sensata-Crydom

Produttore

Sensata-Crydom

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

25A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.55V @ 75A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

1N4529

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

975mV @ 2.5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

25pF @ 10V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SQ-MELF, A

Pacchetto dispositivo fornitore

D-5A

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

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