SE100PWJ-M3/I
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| Numero parte | SE100PWJ-M3/I |
| PNEDA Part # | SE100PWJ-M3-I |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 10A SLIMDPAK |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.444 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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SE100PWJ-M3/I Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SE100PWJ-M3/I |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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SE100PWJ-M3/I Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | eSMP® |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 10A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.14V @ 10A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 2.6µs |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | 78pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SlimDPAK |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 40V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 525mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 2mA @ 40V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-201AD, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-201AD Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 125°C |
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