SDB06S60
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| Numero parte | SDB06S60 |
| PNEDA Part # | SDB06S60 |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 600V 6A D2PAK |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.124 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 9 - mag 14 (Scegli Spedizione rapida) |
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SDB06S60 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SDB06S60 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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SDB06S60 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | CoolSiC™+ |
| Tipo di diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 6A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 6A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | 300pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 40A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 40A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 50V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-203AB, DO-5, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-203AB Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 200°C |
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