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SCT3080KLHRC11

SCT3080KLHRC11

Solo per riferimento

Numero parte SCT3080KLHRC11
PNEDA Part # SCT3080KLHRC11
Descrizione AUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 11.124
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Consegna stimata mag 5 - mag 10 (Scegli Spedizione rapida)
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SCT3080KLHRC11 Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSCT3080KLHRC11
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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SCT3080KLHRC11 Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FETN-Channel
TecnologiaSiCFET (Silicon Carbide)
Tensione Drain to Source (Vdss)1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C31A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs104mOhm @ 10A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id5.6V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60nC @ 18V
Vgs (massimo)+22V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds785pF @ 800V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)165W
Temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247N
Pacchetto / CustodiaTO-247-3

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Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

88A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Serie

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Tipo FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.1A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

770pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

74W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

IPA60R125CFD7XKSA1

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 390µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1503pF @ 400V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

32W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

298pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

500mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SuperSOT-3

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13.2A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

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Vgs (massimo)

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