SCPHN30
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| Numero parte | SCPHN30 |
| PNEDA Part # | SCPHN30 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 3K0V 5.5A |
| Produttore | Semtech |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.826 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 16 - giu 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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SCPHN30 Risorse
| Brand | Semtech |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SCPHN30 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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SCPHN30 Specifiche
| Produttore | Semtech Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 30000V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 5.5A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 30V @ 3A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 3000V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 2V @ 2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 100ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 50µA @ 600V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOD-128 Pacchetto dispositivo fornitore M-FLAT (2.4x3.8) Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/429 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.6V @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 250ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 500nA @ 600V Capacità @ Vr, F 25pF @ 12V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia A, Axial Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
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Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 370mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1.5mA @ 30V Capacità @ Vr, F 70pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOD-128 Pacchetto dispositivo fornitore M-FLAT (2.4x3.8) Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 125°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 660mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 50V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
