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SBR1U30CSP-7

SBR1U30CSP-7

Solo per riferimento

Numero parte SBR1U30CSP-7
PNEDA Part # SBR1U30CSP-7
Descrizione DIODE SBR 30V 1A 2CSP
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.834
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SBR1U30CSP-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSBR1U30CSP-7
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
SBR1U30CSP-7, SBR1U30CSP-7 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 423,93 KB)
PDFSBR1U30CSP-7 Datasheet Copertura
SBR1U30CSP-7 Datasheet Pagina 2 SBR1U30CSP-7 Datasheet Pagina 3 SBR1U30CSP-7 Datasheet Pagina 4

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SBR1U30CSP-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
SerieSBR®
Tipo di diodoSuper Barrier
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)30V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If480mV @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr75µA @ 30V
Capacità @ Vr, F80pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia2-SMD, No Lead
Pacchetto dispositivo fornitore2-CSP
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media Rettificata (Io)

13A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

14µA @ 420V

Capacità @ Vr, F

205pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

10-PowerSOP Module

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-HDSOP-10-1

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

JANTXV1N6627US

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/590

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

440V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.75A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

30ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2µA @ 440V

Capacità @ Vr, F

40pF @ 10V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SQ-MELF, E

Pacchetto dispositivo fornitore

D-5B

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

R6201440XXOO

Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

400A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 800A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

9µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50mA @ 1400V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

DO-200AA, A-PUK

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-200AA, R62

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

SR815HB0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.02V @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

1H85-MMBD3070

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

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