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SBR1A30T5-7

SBR1A30T5-7

Solo per riferimento

Numero parte SBR1A30T5-7
PNEDA Part # SBR1A30T5-7
Descrizione DIODE SBR 30V 1A SOD523
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.102
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 27 - giu 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SBR1A30T5-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSBR1A30T5-7
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
SBR1A30T5-7, SBR1A30T5-7 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 291,53 KB)
PDFSBR1A30T5-7 Datasheet Copertura
SBR1A30T5-7 Datasheet Pagina 2 SBR1A30T5-7 Datasheet Pagina 3 SBR1A30T5-7 Datasheet Pagina 4 SBR1A30T5-7 Datasheet Pagina 5

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SBR1A30T5-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo di diodoSuper Barrier
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)30V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If570mV @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)15ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr200µA @ 30V
Capacità @ Vr, F95pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-79, SOD-523
Pacchetto dispositivo fornitoreSOD-523
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

SCS302AJTLL

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2.15A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 2.15A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10.8µA @ 650V

Capacità @ Vr, F

110pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

LPTL

Temperatura di esercizio - Giunzione

175°C (Max)

FFPF08S60STU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

STEALTH™ II

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2.6V @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

30ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F-2L

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

R7200212XXOO

Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1200A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 1500A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

13µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50mA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

DO-200AB, B-PUK

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-200AB, B-PUK

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

JAN1N1202A

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/260

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

12A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 38A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AA, DO-4, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-203AA (DO-4)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

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