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S71GL064NB0BHW0P0

S71GL064NB0BHW0P0

Solo per riferimento

Numero parte S71GL064NB0BHW0P0
PNEDA Part # S71GL064NB0BHW0P0
Descrizione IC FLASH RAM 64M PARALLEL 56FBGA
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.946
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S71GL064NB0BHW0P0 Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteS71GL064NB0BHW0P0
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
S71GL064NB0BHW0P0, S71GL064NB0BHW0P0 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 317,75 KB)
PDFS71GL064NB0BHW0P0 Datasheet Copertura
S71GL064NB0BHW0P0 Datasheet Pagina 2 S71GL064NB0BHW0P0 Datasheet Pagina 3 S71GL064NB0BHW0P0 Datasheet Pagina 4 S71GL064NB0BHW0P0 Datasheet Pagina 5 S71GL064NB0BHW0P0 Datasheet Pagina 6 S71GL064NB0BHW0P0 Datasheet Pagina 7 S71GL064NB0BHW0P0 Datasheet Pagina 8 S71GL064NB0BHW0P0 Datasheet Pagina 9 S71GL064NB0BHW0P0 Datasheet Pagina 10

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S71GL064NB0BHW0P0 Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
SerieGL-N
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH, RAM
TecnologiaFLASH, PSRAM
Dimensione della memoria64Mb (4M x 16), 32Mb (2M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso90ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.3V
Temperatura di esercizio-25°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia56-TFBGA, CSPBGA
Pacchetto dispositivo fornitore56-FBGA, CSP (7x9)

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.1ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

119-BBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

119-PBGA (14x22)

W25Q128FVSJQ TR

Winbond Electronics

Produttore

Winbond Electronics

Serie

SpiFlash®

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O, QPI

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50µs, 3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MT48LC16M16A2TG-75 IT:D TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

70V24S55PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

64Kb (4K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (1K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

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