S4KW12C-6P
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| Numero parte | S4KW12C-6P |
| PNEDA Part # | S4KW12C-6P |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 12KV 12A MODULE |
| Produttore | Semtech |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.346 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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S4KW12C-6P Risorse
| Brand | Semtech |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | S4KW12C-6P |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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S4KW12C-6P Specifiche
| Produttore | Semtech Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 12000V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 12A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 12V @ 12A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 4µA @ 12000V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie TMBS® Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 880mV @ 5A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 150µA @ 200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Pacchetto dispositivo fornitore TO-262AA Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 175°C |
