S34MS01G200TFI003
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| Numero parte | S34MS01G200TFI003 |
| PNEDA Part # | S34MS01G200TFI003 |
| Descrizione | IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I |
| Produttore | SkyHigh Memory Limited |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.102 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 8 - mag 13 (Scegli Spedizione rapida) |
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S34MS01G200TFI003 Risorse
| Brand | SkyHigh Memory Limited |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | S34MS01G200TFI003 |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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S34MS01G200TFI003 Specifiche
| Produttore | SkyHigh Memory Limited |
| Serie | * |
| Tipo di memoria | - |
| Formato memoria | - |
| Tecnologia | - |
| Dimensione della memoria | - |
| Interfaccia di memoria | - |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore SkyHigh Memory Limited Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile LPSDR Dimensione della memoria 128Mb (8M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 125MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 7ns Tensione - Alimentazione 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 54-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 54-VFBGA (8x8) |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 64Kb (8K x 8) Interfaccia di memoria I²C Frequenza di clock 400kHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.6V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP-J |
Produttore Micron Technology Inc. Serie StrataFlash™ Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 52MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 100ns Tempo di accesso 100ns Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 2V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 64-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore 64-EasyBGA (10x13) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 12ns Tempo di accesso 12ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 28-SOJ |
