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S29VS256R0SBHW003

S29VS256R0SBHW003

Solo per riferimento

Numero parte S29VS256R0SBHW003
PNEDA Part # S29VS256R0SBHW003
Descrizione IC FLASH 256M PARALLEL 44FBGA
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.276
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

S29VS256R0SBHW003 Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteS29VS256R0SBHW003
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
S29VS256R0SBHW003, S29VS256R0SBHW003 Datasheet (Totale pagine: 72, Dimensioni: 2.247,02 KB)
PDFS29XS128RABBHW000 Datasheet Copertura
S29XS128RABBHW000 Datasheet Pagina 2 S29XS128RABBHW000 Datasheet Pagina 3 S29XS128RABBHW000 Datasheet Pagina 4 S29XS128RABBHW000 Datasheet Pagina 5 S29XS128RABBHW000 Datasheet Pagina 6 S29XS128RABBHW000 Datasheet Pagina 7 S29XS128RABBHW000 Datasheet Pagina 8 S29XS128RABBHW000 Datasheet Pagina 9 S29XS128RABBHW000 Datasheet Pagina 10 S29XS128RABBHW000 Datasheet Pagina 11

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S29VS256R0SBHW003 Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
SerieVS-R
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock108MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina60ns
Tempo di accesso80ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-25°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia44-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore44-FBGA (7.7x6.2)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH, RAM

Tecnologia

FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2

Dimensione della memoria

4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

533MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

IDT6116LA25TP

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

24-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

24-PDIP

MT53E128M32D2DS-046 WT:A

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

4Gb (128M x 32)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

2.133GHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

0.6V, 1.1V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

CY62167ELL-45ZXIT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP I

IDT71V3577SA75BQ

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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