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S29VS128RABBHW013

S29VS128RABBHW013

Solo per riferimento

Numero parte S29VS128RABBHW013
PNEDA Part # S29VS128RABBHW013
Descrizione IC FLASH 128M PARALLEL 44FBGA
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.178
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

S29VS128RABBHW013 Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteS29VS128RABBHW013
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
S29VS128RABBHW013, S29VS128RABBHW013 Datasheet (Totale pagine: 72, Dimensioni: 2.247,02 KB)
PDFS29XS128RABBHW000 Datasheet Copertura
S29XS128RABBHW000 Datasheet Pagina 2 S29XS128RABBHW000 Datasheet Pagina 3 S29XS128RABBHW000 Datasheet Pagina 4 S29XS128RABBHW000 Datasheet Pagina 5 S29XS128RABBHW000 Datasheet Pagina 6 S29XS128RABBHW000 Datasheet Pagina 7 S29XS128RABBHW000 Datasheet Pagina 8 S29XS128RABBHW000 Datasheet Pagina 9 S29XS128RABBHW000 Datasheet Pagina 10 S29XS128RABBHW000 Datasheet Pagina 11

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S29VS128RABBHW013 Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
SerieVS-R
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock108MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina60ns
Tempo di accesso80ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-25°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia44-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore44-FBGA (7.5x5)

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

150MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.8ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

3MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

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Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

117MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

CY62256LL-70SNC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

15MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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