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S29GL512P10FAIR20

S29GL512P10FAIR20

Solo per riferimento

Numero parte S29GL512P10FAIR20
PNEDA Part # S29GL512P10FAIR20
Descrizione IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.570
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 26 - mag 31 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

S29GL512P10FAIR20 Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteS29GL512P10FAIR20
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
S29GL512P10FAIR20, S29GL512P10FAIR20 Datasheet (Totale pagine: 82, Dimensioni: 1.009,21 KB)
PDFS29GL512P11TFIV20 Datasheet Copertura
S29GL512P11TFIV20 Datasheet Pagina 2 S29GL512P11TFIV20 Datasheet Pagina 3 S29GL512P11TFIV20 Datasheet Pagina 4 S29GL512P11TFIV20 Datasheet Pagina 5 S29GL512P11TFIV20 Datasheet Pagina 6 S29GL512P11TFIV20 Datasheet Pagina 7 S29GL512P11TFIV20 Datasheet Pagina 8 S29GL512P11TFIV20 Datasheet Pagina 9 S29GL512P11TFIV20 Datasheet Pagina 10 S29GL512P11TFIV20 Datasheet Pagina 11

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S29GL512P10FAIR20 Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
SerieGL-P
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina100ns
Tempo di accesso100ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia64-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore64-Fortified BGA (13x11)

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Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

2ns

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-TFBGA

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

4.2ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

128Kb (16K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

5MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.6V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

IS42S32160C-75BL-TR

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

512Mb (16M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

6ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-LFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-WBGA (8x13)

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Produttore

Winbond Electronics

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3

Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

667MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.425V ~ 1.575V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

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