S29GL01GP13FAIV10
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| Numero parte | S29GL01GP13FAIV10 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | S29GL01GP13FAIV10 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | IC FLASH 1G PARALLEL 64LBGA | ||||||||||||||||||
| Produttore | Cypress Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 556 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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S29GL01GP13FAIV10 Risorse
| Brand | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | S29GL01GP13FAIV10 |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
S29GL01GP13FAIV10, S29GL01GP13FAIV10 Datasheet
(Totale pagine: 82, Dimensioni: 1.009,21 KB)
  
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S29GL01GP13FAIV10 Specifiche
| Produttore | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | GL-P |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NOR |
| Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 130ns |
| Tempo di accesso | 130ns |
| Tensione - Alimentazione | 1.65V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 64-LBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 64-FBGA (13x11) |
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Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie GL-S Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 64Mb (4M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 60ns Tempo di accesso 80ns Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 48-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 48-FBGA (8.15x6.15) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EPROM Tecnologia EPROM - OTP Dimensione della memoria 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 90ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 28-DIP (0.600", 15.24mm) Pacchetto dispositivo fornitore 28-PDIP |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NAND Dimensione della memoria 256Gb (32G x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria 8Gb (256M x 32) Interfaccia di memoria - Frequenza di clock 1.866GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 0.6V, 1.1V Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
